中國IGBT芯片生產線打破國外壟斷 年產12萬片

　　市領導賀安杰、毛騰飛、何劍波，中國南車集團總裁劉化龍，以及工信部等國家相關部委、省直部門負責人到場祝賀。市委書記賀安杰希望南車株洲所以此為契機，再接再厲，為株洲乃至世界軌道交通發展，為推進株洲新型工業化進程作出更大貢獻。

　　IGBT芯片技術含量極高，制造難度非常大，被業內譽為“皇冠上的明珠”，其研發、制造、應用是衡量一個國家科技創新和高端制造業水平的重要標志。過去，全球IGBT技術主要掌握在歐洲和日本等少數幾個國家手中。中國的IGBT芯片及其相關產品99%以上依賴進口，國內在芯片、封裝、裝置、系統應用上還沒有形成獨立、完整的技術體系和產業體系。

　　6月20日，中國首條8英寸IGBT專業芯片線在中國南車株洲電力機車研究所有限公司建成，中國首片8英寸IGBT芯片同時下線。此舉打破了國外在高端IGBT芯片技術上的壟斷，對保障國民經濟安全和推動兩型建設具有重大戰略意義。

　　IGBT即“絕緣柵雙極型晶體管”，主要應用于船舶、高壓電網、軌道交通等大功率電力驅動設備中。與微電子技術中芯片技術(通常所說的CPU)一樣，IGBT芯片技術是電力電子行業中的“心臟”和“大腦”，控制并提供大功率的電力設備電能變換，可有效提升設備的能源利用效率、自動化和智能化水平。

　　為了實現“IGBT”國產化之夢，中國南車累計投入超過30億元，上百位專家攻克了30多項重大難題，終于掌握了該器件的成套技術，建立了完整的IGBT規模化、專業化生產工業體系，成功研制出從650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模塊，形成了IGBT的完整產業鏈。2011年5月，南車株洲所在田心高科園開工建設IGBT產業化基地，建設世界第二條8英寸IGBT專業芯片線。這條投資近15億元的生產線，首期將實現年產12萬片8英寸IGBT芯片，配套生產100萬只IGBT模塊，真正實現IGBT的國產化。

　　中國工程院院士、南車株洲所總經理丁榮軍說，據初步估算，如果將IGBT等電力電子技術應用到全國20%的電機中，每年可節約用電2000億千瓦時，相當于2個三峽電站的年發電量。同時，高功率等級IGBT的自主研制成功，對于國家經濟安全、國防安全具有至關重要的意義。

　　當天生產的首片8英寸IGBT芯片，移交中國科學技術館收藏。