昨日臺積電官方宣布,16nmFinFETPlus(簡稱16FF+)工藝已經開始風險性試產。
16FF+是標準的16nmFinFET的增強版本,同樣有立體晶體管技術在內,號稱可比20nmSoC平面工藝性能提升最多40%,或者同頻功耗降低最多50%。
臺積電表示,該工藝已經在ARM64位架構上通過了驗證,Cortex-A57大核心能夠跑到2.3GHz,Cortex-A53小核心則能做到75mW。
更關鍵的是,良品率也正在穩步提升,同期技術成熟度相比臺積電此前所有工藝也是最好的。
臺積電稱,16FF+工藝將在11月底按計劃通過全部可靠性驗證,已有近60項客戶芯片設計安排在2015年底前完成流片。
根據良品率和性能情況,臺積電預計新工藝將在2015年7月左右開始大規模量產。
Avago、飛思卡爾、LG、聯發科、NVIDIA、瑞薩電子、Xilinx都站出來表達了對臺積電16FF+工藝的支持,表明他們都正在準備相應的產品,特別是NVIDIA出來發言的是GeForce業務部門高級副總裁JeffFisher——16nmN卡明年見!